Lasertechnologie is een van de"Four New Inventions" van de 20e eeuw. Het is ook de belangrijkste ontwikkelingsrichting van de productierevolutie van"World Industry 4.0" en"Made in China 2025". Met mijn land's industriële verwerking, biomedische schoonheid en snelle optische communicatie Met de snelle ontwikkeling van industrieën zoals machine vision en sensing, laserdisplay en laserverlichting, is de binnenlandse vraag naar lasers snel gegroeid . De laserchip is een onmisbaar kernapparaat voor de ontwikkeling van de laserindustrie en de technologische kern van de gehele laserindustrieketen. De laserchipindustrie in mijn land is echter laat begonnen en vergeleken met buitenlandse bedrijven is het algehele concurrentievermogen onvoldoende. In de context van de onstabiele internationale politieke en economische situatie en de transformatie en opwaardering van de binnenlandse maakindustrie, is de lokalisatie van laserchips aanstaande.
Everbright Huaxin dringt sinds de oprichting in 2012 aan op onafhankelijk onderzoek en ontwikkeling en productie van high-power laserchips. De 9XXnm 15W, 20W en 25W single-tube chips die achtereenvolgens zijn gelanceerd, zijn al vele jaren op de industriële markt getest. jaar en hebben wijdverbreid vertrouwen en erkenning in de markt gekregen.
Om aan de marktvraag te voldoen en het uitgangsvermogen en de prijs-vermogensverhouding van laserpompbronnen te verbeteren, heeft Everbright Huaxin een nieuwe 9XXnm 28W halfgeleiderlaserchip gelanceerd, die de prestatie-indicatoren en betrouwbaarheid aanzienlijk heeft verbeterd.
01 Prestatie-indicatoren hebben het internationale geavanceerde niveau bereikt
Verbeter kracht en efficiëntie
Het uitgangsvermogen en de efficiëntie van halfgeleiderlasers worden voornamelijk beïnvloed door factoren zoals laserdrempel, helling en rollover met hoog stroomvermogen. Door het ontwerp van de epitaxiale structuur te optimaliseren, vermijdt Changguang Huaxin effectief een hoge stroom rollover en verbetert het de efficiëntie van de foto-elektrische conversie.
1. Om de efficiëntie te verhogen
Door de doteringsconcentratie van de PN-overgang te verlagen om de drempel te verlagen en de helling te vergroten, zal een te lage doteringsconcentratie gewoonlijk de weerstand van de PN-overgang verhogen en de chipspanning verhogen. Om het probleem van een optimale balans tussen drempel, helling en spanning op te lossen, hebben we de asymmetrische grote optische holtestructuurgolf geoptimaliseerd, de dikte van de golfgeleiderlaag vergroot en zorgvuldig de verdeling van de dopingconcentratie in verschillende regio's van de PN-overgang ontworpen om verminderen het optische veld en hoge doping. De overlap van vrije dragers in de onzuiverheidsbeperkende laag vermindert het absorptieverlies om ervoor te zorgen dat de spanning in wezen onveranderd blijft wanneer de drempel wordt verlaagd en de hellingsefficiëntie wordt verbeterd, waardoor de chipefficiëntie wordt verbeterd.
2. Vermijd rollover met hoge stroomsterkte;
De hoge stroombuiging is voornamelijk te wijten aan de afname van de interne kwantumefficiëntie tijdens injectie met hoge stroom. Door de energiebandstructuur van het materiaal nabij het versterkingsgebied van de laserstructuur te optimaliseren en het vermogen van de PN-overgang' om elektronen te injecteren, wordt de kwantumefficiëntie tijdens injectie met hoge stroom verbeterd en het fenomeen van hoge stroombuiging effectief wordt vermeden.
Verbeter de straalkwaliteit, verhoog de helderheid
Changguang Huaxin verhoogt het verstrooiingsverlies van modi van hoge orde, onderdrukt zijmodi van hoge orde, verbetert de straalkwaliteit van de laserchip en verbetert de helderheid door de methode van anti-golfgeleider en microstructuurmodificatie-engineering. Op dit moment bereiken Changguang Huaxin-chips met één buis 95% van de langzame as. De hoek van de energiedivergentie is 9°, en de helderheid is groter dan 80MW/cm2sr.
Door effectieve behandeling en preventie van verschillende beïnvloedende factoren, heeft de single-tube chip onafhankelijk ontwikkeld door Changguang Huaxin een commercieel vermogen van 28W bereikt, testvermogen bereikt meer dan 30W, langzame as 95% energiedivergentiehoek 9°, helderheid groter dan 80MW/ cm2sr, efficiëntie Bereikte 65%, een aantal prestatie-indicatoren bereikte het internationale toonaangevende niveau.
02 Hoge betrouwbaarheid om te voldoen aan de behoeften van de industriële markt
Naast het nastreven van een hoger uitgangsvermogen en conversie-efficiëntie, is het ook de richting van onze niet-aflatende inspanningen om te voldoen aan de hogere eisen van de industriële markt voor de levensduur van lasers.
De technologie voor de verwerking van holteoppervlakken is de sleutel tot het bepalen van de betrouwbaarheid en industriële toepassing van krachtige halfgeleiderlaserchips. De toename van het vermogen van laserchips gaat gepaard met de toename van de junctietemperatuur van de chip en de optische vermogensdichtheid van het holteoppervlak, wat hogere eisen stelt aan de beschadigingsweerstand van het holteoppervlak. Op basis van jarenlange accumulatie van sleuteltechnologieën voor speciale oppervlaktebehandeling van holtes, heeft Everbright het procesniveau van onafhankelijke onderzoeks- en ontwikkelingsapparatuur verbeterd, nieuwe technologieën voor de behandeling van holteoppervlakken ontwikkeld, het controlekwaliteitsniveau van de oppervlaktebehandeling van holtes verbeterd en de holte verbeterd het vermogen van het oppervlak om optische catastrofale schade te weerstaan, om ervoor te zorgen dat de 28W high-power laserchip voldoet aan de eisen van de industriële markt voor de levensduur van de laser.
